HGTG10N120BND
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HGTG10N120BND參數(shù)：IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247

類別：分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： PlatingMaterial20/Dec/2007
標準包裝：150
系列：-
包裝：管件
IGBT類型：NPT
電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：2.7V@15V，10A
電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
Current-CollectorPulsed(Icm)：80A
功率-最大值：298W
SwitchingEnergy：0.85mJ(開),0.80mJ(關(guān))
輸入類型：標準
GateCharge：100nC
Td(on/off)A25°C：23ns/165ns
TestCondition：960V,10A,10歐姆,15V
反向恢復時間(trr)：32ns
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247