FQU2N60CTU
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FQU2N60CTU參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：70
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.7歐姆@950mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：235pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝：I-Pak