FQU12N20TU
PDF資料下載

FQU12N20TU參數：MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：70
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：280毫歐@4.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：23nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：910pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA
供應商器件封裝：I-Pak