FQT3P20TF
PDF資料下載

FQT3P20TF參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：4,000
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：670mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.7歐姆@335mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：250pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223-4