FQPF19N20參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：11.8A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：150毫歐@5.9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：40nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1600pF@25V功率-最大值：50W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3整包供應(yīng)商器件封裝：TO-220F
