FQI9N50CTU
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FQI9N50CTU參數：MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
標準包裝：1,000
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：800毫歐@4.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：35nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1030pF@25V
功率-最大值：135W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商器件封裝：I2PAK