FQI6N60CTU
PDF資料下載

FQI6N60CTU參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：QFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2歐姆@2.75A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：810pF@25V
功率-最大值：125W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：I2PAK