FQD9N25TM參數(shù):MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:QFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):250V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):7.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):420毫歐@3.7A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):20nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):700pF@25V功率-最大值:2.5W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:D-Pak