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FQD5P20TM

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深圳市同亨電子有限公司

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聯(lián)系人：洪小姐

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深圳市邁特新科技有限公司

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聯(lián)系人：李先生

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相關(guān)型號： FQD5P20TF FQD5P10TM FQD5P10TF FQD5N60CTM_F080 FQD5N60CTM FQD5N60CTF

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FQD5P20TM參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.4歐姆@1.85A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：430pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3

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