FQD3P50TM參數(shù)：MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：500V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：4.9歐姆@1.05A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：23nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：660pF@25V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3
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