FQD3N50CTM
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FQD3N50CTM參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
標準包裝：2,500
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5歐姆@1.25A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：365pF@25V
功率-最大值：35W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak