FQD2N60CTF參數：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008標準包裝：2,000系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.7歐姆@950mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：235pF@25V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應商器件封裝：D-Pak
