FQD2N100TM
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FQD2N100TM參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.6A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：9歐姆@800mA，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：15.5nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：520pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak