FQD2N100TF參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：QFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1.6A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：9 歐姆 @ 800mA，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15.5nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：520pF @ 25V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
