FQD19N10LTM
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FQD19N10LTM參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：15.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@7.8A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：870pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3