FQB6N90TM_AM002參數(shù):MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:800系列:QFET™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):900V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):5.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 歐姆 @ 2.9A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):52nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1880pF @ 25V功率 - 最大值:3.13W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D²PAK