FQB50N06LTM
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FQB50N06LTM參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：52.4A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：21毫歐@26.2A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：32nC@5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1630pF@25V
功率-最大值：3.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK