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FQB50N06LTM參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：800系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：52.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：21毫歐@26.2A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：32nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1630pF@25V功率-最大值：3.75W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D²PAK
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