FQB34P10TM參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：33.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：60毫歐@16.75A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：110nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2910pF@25V功率-最大值：3.75W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：TO-263-2
