FQB34N20TM_AM002參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：800系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：31A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：75毫歐@15.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：78nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3100pF@25V功率-最大值：3.13W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D²PAK
