FQB19N20LTM
PDF資料下載

FQB19N20LTM參數：MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：800
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：21A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：140毫歐@10.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：35nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2200pF@25V
功率-最大值：3.13W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D²PAK