FQB19N10LTM
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FQB19N10LTM參數：MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：800
系列：QFET™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：19A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：870pF @ 25V
功率 - 最大值：3.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D²PAK