FQB12N60CTM
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FQB12N60CTM參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：650毫歐@6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：63nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2290pF@25V
功率-最大值：3.13W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK