FQA38N30參數(shù)：MOSFET N-CH 300V 38.4A TO-3P
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：QFET™包裝：管件FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：300V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：38.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：85毫歐@19.2A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：120nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：4400pF@25V功率-最大值：290W安裝類(lèi)型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3供應(yīng)商器件封裝：TO-3PN
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