FDY2001PZ
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FDY2001PZ參數：MSOFET P-CH DUAL 20V SOT-563F

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： MoldCompound20/Aug/2008
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：150mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8歐姆@150mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：100pF@10V
功率-最大值：446mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：SOT-563F