FDS2170N3參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：128毫歐@3A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：36nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1292pF@100V功率-最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mmWidth）裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
