FDP61N20
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FDP61N20參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 61A TO-220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：400
系列：UniFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：61A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：41毫歐@30.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：75nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3380pF@25V
功率-最大值：417W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220