FDN5618P
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FDN5618P參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： WireBonding07/Nov/2008 MoldCompound08/April/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.25A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：170毫歐@1.25A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13.8nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：430pF@30V
功率-最大值：460mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：3-SSOT