FDN358P參數：MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：125毫歐@1.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：5.6nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：182pF@15V功率-最大值：460mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：3-SSOT
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