FDG6313N參數(shù):MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification: MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:2個(gè)N溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):500mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):450毫歐@500mA,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):2.3nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF@10V功率-最大值:300mW安裝類型:表面貼裝封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6