FDG326P
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FDG326P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：140毫歐@1.5A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：467pF@10V
功率-最大值：480mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SC-70-6