FDG312P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動(dòng)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：180毫歐@1.2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：5nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：330pF@10V功率-最大值：480mW安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SC-70-6
