FDFMA2P853T參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices11/Mar/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：120毫歐@3A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：435pF@10V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-MicroFET（2x2）
