FDD8782
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FDD8782參數：MOSFET N-CH 25V 35A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：35A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11毫歐@35A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1220pF@13V
功率-最大值：50W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak