FDD6530A參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：21A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：32毫歐@8A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：710pF@10V功率-最大值：1.6W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：TO-252
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