FDD5612
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FDD5612參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：55毫歐@5.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：660pF@30V
功率-最大值：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3