FDD4N60NZ參數(shù)：MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：UniFET-II™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：3.4A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.5 歐姆 @ 1.7A， 10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10.8nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：510pF @ 25V功率 - 最大值：114W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
