FDC796N參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：9毫歐@12.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1444pF@15V功率-最大值：1.1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-SSOT扁平引線，SuperSOT?-6FLMP供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT
