FDC6561AN
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FDC6561AN參數(shù)：MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：95毫歐@2.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.2nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：220pF@15V
功率-最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT