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FDC633N參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：5.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：42毫歐@5.2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：16nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：538pF@10V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT