<li id="yioio"></li>
FDC6020C參數(shù)：MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：5.9A，4.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：27毫歐@5.9A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：8nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：677pF@10V功率-最大值：1.2W安裝類型：表面貼裝封裝：6-SSOT扁平引線，SuperSOT?-6FLMP供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT
<center id="mauyy"></center>
