FDB050AN06A0
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FDB050AN06A0參數：MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：800
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5毫歐@80A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：80nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3900pF@25V
功率-最大值：245W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：TO-263AB