FCPF190N60E
PDF資料下載

FCPF190N60E參數(shù)：MOSFET N-CH 600V TO-220-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：SuperFETII®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：190毫歐@10A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：82nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3175pF@25V
功率-最大值：39W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220F