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FCPF190N60E參數(shù)：MOSFET N-CH 600V TO-220-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：SuperFETII®包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：190毫歐@10A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：82nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3175pF@25V功率-最大值：39W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3整包供應(yīng)商器件封裝：TO-220F
