EPC1007參數：TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
類別：分立半導體產品-FET - 單應用說明： ThermalPerformanceofeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產品變化通告： EPC1xxxSeriesObsolescence09/Sept/2011視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement標準包裝：1,000系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@6A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1.2mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.7nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：200pF@50V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：5-LGA供應商器件封裝：5-LGA（1.7x1.1）
