DMS2120LFWB-7
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DMS2120LFWB-7參數：MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN

類別：分立半導體產品-FET - 單
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：95毫歐@2.8A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：632pF@10V
功率-最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN裸露焊盤
供應商器件封裝：8-DFN3020B（3x2）