DMS2120LFWB-7參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.9A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：95毫歐@2.8A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：632pF@10V功率-最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-VDFN裸露焊盤(pán)供應(yīng)商器件封裝：8-DFN3020B（3x2）
