DMN2400UFB4-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：750mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：550 毫歐 @ 600mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：36pF @ 16V功率 - 最大值：470mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）
