DMN2016LHAB-7
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DMN2016LHAB-7參數：MOSF N CH DL 20V 7.5A UDFN20306

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：7.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：15.5 毫歐 @ 4A， 4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1550pF @ 10V
功率 - 最大值：1.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-UDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：*