DMN2009LSS-13參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8毫歐@12A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：58.3nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2555pF@10V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
