DDTC115GE-7-F
PDF資料下載

DDTC115GE-7-F參數：TRANS PREBIASED NPN 150MW SOT523

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
產品目錄繪圖： SOT-523Side SOT-523Top DDTCxxxG(CA,UA,E)Circuit
PCNDesign/Specification： GreenEncapsulateChange09/July/2007
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：NPN-預偏壓
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：100k
電阻器-發射極基底(R2)(Ω)：-
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：82@5mA，5V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@500µA，10mA
電流-集電極截止（最大值）：-
頻率-躍遷：250MHz
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-523
供應商器件封裝：SOT-523