BSZ160N10NS3 G
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BSZ160N10NS3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：40A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 12µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1700pF @ 50V
功率 - 最大值：63W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝：-